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生产型LPCVD设备.主要技术指标.该设备是在低压高温的条件下,通过化学反应.气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜.(主要是SigNgSiO及Poly硅薄膜)。类型.参数.可 ...,...型微加工技術...錄,此部分論述某一特殊.技術之第一層金屬的規.則...LPCVD)之反應器可以區分成...
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LPCVD/PECVD与双面p-PERC相比,基于LPCVD的TOPCon概念在n型硅衬底上显示出更高的电池生产成本,并且分布在所有相关的电池加工过程中:湿化学、扩散/退火、钝化和金属 ...
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